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VGO 36-16io7
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
10
I R , I D
V T , V F
V R = V RRM ; V D = V DRM
I T , I F = 45 A; T VJ = 25 ° C
T VJ = T VJM
T VJ = 25 ° C
≤
≤
≤
5
0.3
1.45
mA
mA
V
V G
V
1: I GT , T VJ = 125°C
2: I GT , T VJ = 25°C
3: I GT , T VJ = -40°C
V T0
r T
V GT
I GT
For power-loss calculations only (T VJ = 125 ° C)
V D = 6 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
V D = 6 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
T VJ = 125 ° C
≤
≤
≤
≤
≤
0.85
13
1.0
1.2
65
80
50
V
m Ω
V
V
mA
mA
mA
1
1
2
3
4
5
6
V GD
I GD
I L
I H
T VJ = T VJM ; V D = 2/3 V DRM
T VJ = T VJM ; V D = 2/3 V DRM
I G = 0.3 A; t G = 30 μ s; T VJ = 25 ° C
di G /dt = 0.3 A/ μ s; T VJ = -40 ° C
T VJ = 125 ° C
T VJ = 25 ° C; V D = 6 V; R GK = ∞
≤
≤
≤
≤
≤
≤
0.2
5
150
200
100
100
V
mA
mA
mA
mA
mA
4: P GAV = 0.5 W
5: P GM = 1 W
I GD , T VJ = 125°C 6: P GM = 10 W
0.1
1 10 100 1000 mA
I G
Fig. 1 Gate trigger range
t gd
t q
R thJC
T VJ = 25 ° C; V D = 1/2 V DRM
I G = 0.3 A; di G /dt = 0.3 A/ μ s
T VJ = 125 ° C, I T = 15 A, t P = 300 μ s, V R = 100 V
di/dt = -10 A/ μ s, dv/dt = 20 V/ μ s, V D = 2/3 V DRM
per thyristor (diode); DC current
≤
typ.
2
150
1.4
μ s
μ s
K/W
1000
μ s
t gd
100
typ.
Limit
T VJ = 25°C
per module
0.35
K/W
R thJK
per thyristor (diode); DC current
per module
2.0
0.5
K/W
K/W
d S
d A
a
Creepage distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
12.6
6.3
50
mm
mm
m/s 2
10
1
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
10
100
I G
mA 1000
Fig. 2 Gate controlled delay time t gd
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100705a
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